型号:IXTP1N120P | 类别:FET - 单 | 制造商:IXYS |
封装:TO-220-3 | 描述:MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220 |
系列 | PolarVHV™ |
制造商 | IXYS |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 20 欧姆 @ 500mA,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4.5V @ 50µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 17.6nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 550pF @ 25V |
功率_最大 | 63W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
供应商
昆山隆诚翔电子有限公司 | 曾小姐0512-82613006 |
深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
深圳市三得电子有限公司 | 销售部13509684848 |
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